Tytuł
Hall sensors made of n-InSb/GaAs epitaxial layers for low temperature applications
Autorzy
[ 1 ] Instytut Fizyki, Wydział Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik
Rok publikacji
2006
Opublikowano w
Typ artykułu
artykuł naukowy
Język publikacji
angielski
Strony (od-do)
2692 - 2695
Impact Factor
1,666
System tworzony przez Politechnikę Poznańską
oraz Poznańskie Centrum Superkomputerowo-Sieciowe
Zaloguj się przez eKonto, aby dodać do SIN