SIN PP | Wpływ technologii na stan warstwy wierzchniej WW'07. Materiały VI Międzynarodowej Konferencji Naukowo-Technicznej, Gorzów Wlkp-Sulęcin, 16-17 października 2007

W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Menu

System Informacji Naukowej Politechniki Poznańskiej

PL EN

Strona główna / Publikacje / Wpływ technologii na stan warstwy wierzchniej WW'07. Materiały VI Międzynarodowej Konferencji Naukowo-Technicznej, Gorzów Wlkp-Sulęcin, 16-17 października 2007

Zgłoś uwagę

Książka

Pobierz BibTeX

Tytuł

Wpływ technologii na stan warstwy wierzchniej WW'07. Materiały VI Międzynarodowej Konferencji Naukowo-Technicznej, Gorzów Wlkp-Sulęcin, 16-17 października 2007

Redaktorzy

Kazimierz Wieczorowski (WBMiZ) ^{[ 1 ][ P ]}
Tadeusz Zaborowski

^{[ 1 ]} Instytut Technologii Mechanicznej, Wydział Budowy Maszyn i Zarządzania, Politechnika Poznańska | ^{[ P ]} pracownik

Rok publikacji

2007

Typ książki

materiały konferencyjne

Język publikacji

polski

Miejsce

Gorzów Wielkopolski, Polska

Wydawca

Instytut Badań i Ekspertyz Naukowych

Data opublikowania

2007

Liczba stron

208

Opublikowano w

Seria: Studia i Materiały - Instytut Badań i Ekspertyz Naukowych w Gorzowie Wielkopolskim | Podseria: Monografie

Numer w serii

t. 25, nr 2

Rozdziały

Warstwa wierzchnia stali narzędziowej 55NiCrMoV po laserowym zahartowaniu i toczeniu (s. 63-68)

Wpływ parametrów prasowania na właściwości kompozytowych materiałów ciernych (s. 69-75)

Konferencja

Międzynarodowa Konferencja Naukowo-Techniczna: Wpływ technologii na stan warstwy wierzchniej, WW'07, 16-17.10.2007, Gorzów Wielkopolski - Sulęcin, Polska

System tworzony przez Politechnikę Poznańską oraz Poznańskie Centrum Superkomputerowo-Sieciowe

Zaloguj się przez eKonto, aby dodać do SIN

Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.