Depending on the amount of data to process, file generation may take longer.

If it takes too long to generate, you can limit the data by, for example, reducing the range of years.

Menu

PL EN
PL EN
Main page / Publications / Właściwości wzmacniające tranzystorów bipolarnych w niskich temperaturach
Submit a comment

Article

Download BibTeX

Title

Właściwości wzmacniające tranzystorów bipolarnych w niskich temperaturach

Authors

[ 1 ] Instytut Elektroniki i Telekomunikacji (IEt), Wydział Elektryczny, Politechnika Poznańska | [ P ] employee

Year of publication

2001

Published in

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Journal year: 2001 | Journal number: nr 6

Article type

scientific article

Publication language

polish

Pages (from - to)

21 - 23

System created by Poznań University of Technology and Poznan Supercomputing and Networking Center
Szanowni Państwo,

w PBN 26.06.24 zaktualizowana została punktacja czasopism (zgodnie z Wykazem ogłoszonym 5.01.24).
Nadal jednak nie zaktualizowano punktacji konferencji – co więcej, nie jest znany nawet przybliżony termin wdrożenia tej części Wykazu. Widoczna w SIN punktacja jest odzwierciedleniem punktacji w PBN (wymuszają to procedury przesyłu danych o publikacjach), zatem punkty za konferencje widoczne w SIN będą mogły zostać zmienione, dopiero gdy zostaną zaktualizowane w PBN.

This website uses cookies to remember the authenticated session of the user. For more information, read about Cookies and Privacy Policy.