Depending on the amount of data to process, file generation may take longer.

If it takes too long to generate, you can limit the data by, for example, reducing the range of years.

Menu

PL EN
PL EN
Main page / Publications / Investigations of the switching characteristics of the punch-through IGBT by considering the device internal resistance
Submit a comment

Chapter

Download BibTeX

Title

Investigations of the switching characteristics of the punch-through IGBT by considering the device internal resistance

Authors

[ 1 ] Instytut Elektrotechniki Przemysłowej (IEp), Wydział Elektryczny, Politechnika Poznańska | [ P ] employee

Year of publication

2003

Chapter type

paper

Publication language

english

Book

10th European Conference on Power Electronics and Applications, 2-4 September 2003, Toulouse, France

Presented on

10th European Conference on Power Electronics and Applications EPE 2003, 2-4.09.2003, Toulouse, France

System created by Poznań University of Technology and Poznan Supercomputing and Networking Center
Szanowni Państwo,

w PBN 26.06.24 zaktualizowana została punktacja czasopism (zgodnie z Wykazem ogłoszonym 5.01.24).
Nadal jednak nie zaktualizowano punktacji konferencji – co więcej, nie jest znany nawet przybliżony termin wdrożenia tej części Wykazu. Widoczna w SIN punktacja jest odzwierciedleniem punktacji w PBN (wymuszają to procedury przesyłu danych o publikacjach), zatem punkty za konferencje widoczne w SIN będą mogły zostać zmienione, dopiero gdy zostaną zaktualizowane w PBN.

This website uses cookies to remember the authenticated session of the user. For more information, read about Cookies and Privacy Policy.