W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Menu

PL EN
PL EN
Strona główna / Publikacje / Właściwości wzmacniające tranzystorów bipolarnych w niskich temperaturach
Zgłoś uwagę

Artykuł

Pobierz BibTeX

Tytuł

Właściwości wzmacniające tranzystorów bipolarnych w niskich temperaturach

Autorzy

[ 1 ] Instytut Elektroniki i Telekomunikacji (IEt), Wydział Elektryczny, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik

Rok publikacji

2001

Opublikowano w

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik: 2001 | Numer: nr 6

Typ artykułu

artykuł naukowy

Język publikacji

polski

Strony (od-do)

21 - 23

System tworzony przez Politechnikę Poznańską oraz Poznańskie Centrum Superkomputerowo-Sieciowe
Szanowni Państwo,

w PBN 26.06.24 zaktualizowana została punktacja czasopism (zgodnie z Wykazem ogłoszonym 5.01.24).
Nadal jednak nie zaktualizowano punktacji konferencji – co więcej, nie jest znany nawet przybliżony termin wdrożenia tej części Wykazu. Widoczna w SIN punktacja jest odzwierciedleniem punktacji w PBN (wymuszają to procedury przesyłu danych o publikacjach), zatem punkty za konferencje widoczne w SIN będą mogły zostać zmienione, dopiero gdy zostaną zaktualizowane w PBN.

Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.