Comments on the article “Transport properties of Sn-doped InSb thin films and application to Hall element”[J. Crystal Growth 251 (2003) 560]

Maciej Oszwałdowski

System Informacji Naukowej Politechniki Poznańskiej

PL EN

Strona główna / Publikacje / Comments on the article “Transport properties of Sn-doped InSb thin films and application to Hall element”[J. Crystal Growth 251 (2003) 560]

Zgłoś uwagę

Artykuł

Pobierz BibTeX

Tytuł

Comments on the article “Transport properties of Sn-doped InSb thin films and application to Hall element”[J. Crystal Growth 251 (2003) 560]

Autorzy

Maciej Oszwałdowski (WFT) ^{[ 1 ][ P ]}

^{[ 1 ]} Instytut Fizyki, Wydział Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | ^{[ P ]} pracownik

Rok publikacji

2004

Opublikowano w

Journal of Crystal Growth

Rocznik: 2004 | Tom: vol. 260 | Numer: iss. 3-4

Typ artykułu

artykuł naukowy

Język publikacji

angielski

Strony (od-do)

600 - 602

Impact Factor

1,707

System tworzony przez Politechnikę Poznańską oraz Poznańskie Centrum Superkomputerowo-Sieciowe

Zaloguj się przez eKonto, aby dodać do SIN