W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Menu

PL EN
PL EN
Strona główna / Publikacje / Investigations of the switching characteristics of the punch-through IGBT by considering the device internal resistance
Zgłoś uwagę

Rozdział

Pobierz BibTeX

Tytuł

Investigations of the switching characteristics of the punch-through IGBT by considering the device internal resistance

Autorzy

[ 1 ] Instytut Elektrotechniki Przemysłowej (IEp), Wydział Elektryczny, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik

Rok publikacji

2003

Typ rozdziału

referat

Język publikacji

angielski

Książka

10th European Conference on Power Electronics and Applications, 2-4 September 2003, Toulouse, France

Zaprezentowany na

10th European Conference on Power Electronics and Applications EPE 2003, 2-4.09.2003, Toulouse, France

System tworzony przez Politechnikę Poznańską oraz Poznańskie Centrum Superkomputerowo-Sieciowe
Szanowni Państwo,

w PBN 26.06.24 zaktualizowana została punktacja czasopism (zgodnie z Wykazem ogłoszonym 5.01.24).
Nadal jednak nie zaktualizowano punktacji konferencji – co więcej, nie jest znany nawet przybliżony termin wdrożenia tej części Wykazu. Widoczna w SIN punktacja jest odzwierciedleniem punktacji w PBN (wymuszają to procedury przesyłu danych o publikacjach), zatem punkty za konferencje widoczne w SIN będą mogły zostać zmienione, dopiero gdy zostaną zaktualizowane w PBN.

Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.