W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Artykuł

Pobierz BibTeX

Tytuł

Transition metals vs. chalcogens: the impact on NOx adsorption on MoS2, MoSe2 and WS2 transition-metal dichalcogenides

Autorzy

[ 1 ] Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ 2 ] Instytut Fizyki, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ S ] student | [ P ] pracownik

Dyscyplina naukowa (Ustawa 2.0)

[2.8] Inżynieria materiałowa

Rok publikacji

2024

Opublikowano w

Acta Materialia

Rocznik: 2024 | Tom: vol. 272

Typ artykułu

artykuł naukowy

Język publikacji

angielski

Słowa kluczowe
EN
  • NO2
  • MoS2
  • Transition metal dichalcogenides
  • Surface interactions
  • Adsorption
  • Gas sensing
Streszczenie

EN The widely developed industry of today generates significant amounts of harmful gases, which prompts the search for modern materials allowing for their efficient and reliable detection. Transition-metal dichalcogenides (TMD) constitute well-known example of such, with particularly high potential for excellent sensing of NO2. It is known, that the adsorption of this hazardous molecule varies on the TMD composition, however the importance of transition metal and chalcogen types were never previously contrasted. Moreover, the other NOx compounds, namely NO and N2, interact much less with TMD sheets, the reason for which is not yet well understood. This work utilizes density functional theory (DFT) approach to untangle these problems by examining the adsorption processes of NO2, NO, and N2 on the monolayers of WS2, MoS2, and MoSe2. The calculations allowed to establish two important conclusions: (i) the chalcogen is significantly more important than transition metal, allowing for much greater increase in adsorption of NO2 on MoSe2 than on WS2, as compared to that on MoS2, (ii) only molecules acting as an acceptor with respect to the TMD sheet can benefit from the enhancement coming from the composition of the latter. The gained insight can likely contribute to the informed design of devices allowing selective detection, the lack of which is a recognized problem among semiconductor sensors.

Strony (od-do)

119949-1 - 119949-12

DOI

10.1016/j.actamat.2024.119949

URL

https://doi.org/10.1016/j.actamat.2024.119949

Typ licencji

CC BY (uznanie autorstwa)

Tryb otwartego dostępu

otwarte czasopismo

Wersja tekstu w otwartym dostępie

ostateczna wersja opublikowana

Czas udostępnienia publikacji w sposób otwarty

w momencie opublikowania

Punktacja Ministerstwa / czasopismo

200

Impact Factor

8,3 [Lista 2023]

Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.