Depending on the amount of data to process, file generation may take longer.

If it takes too long to generate, you can limit the data by, for example, reducing the range of years.

Menu

PL EN
PL EN
Main page / Publications / Tri-carbon defects in carbon doped GaN
Submit a comment

Article

Download BibTeX

Title

Tri-carbon defects in carbon doped GaN

Authors

[ 1 ] Instytut Fizyki, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ D ] phd student

Year of publication

2018

Published in

Applied Physics Letters

Journal year: 2018 | Journal volume: vol. 113 | Journal number: no. 26

Article type

scientific article

Publication language

english

Date of online publication

26.12.2018

DOI

10.1063/1.5064432

URL

https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5064432

Ministry points / journal

40

Ministry points / journal in years 2017-2021

40

Impact Factor

3,521

System created by Poznań University of Technology and Poznan Supercomputing and Networking Center
Szanowni Państwo, w formularzu zgłoszenia publikacji do SIN, by sprostać wymogom oceny wg kryterium umiędzynarodowienia, pojawiło się nowe pole: "Praca powstała w ramach współpracy międzynarodowej".



5. stycznia 2024 r. ogłoszony został Komunikat Ministra Nauki w sprawie wykazu czasopism naukowych i recenzowanych materiałów z konferencji międzynarodowych. Widoczna w SIN punktacja jest odzwierciedleniem punktacji w PBN (co wymuszone jest procedurami przesyłu danych o publikacjach) – zatem nowe, zmienione Komunikatem, punkty widoczne będą w SIN, gdy tylko zostaną zaktualizowane w PBN. Wdrożenie nowego wykazu do PBN planowane jest na czerwiec.
This website uses cookies to remember the authenticated session of the user. For more information, read about Cookies and Privacy Policy.