Depending on the amount of data to process, file generation may take longer.

If it takes too long to generate, you can limit the data by, for example, reducing the range of years.

Menu

PL EN
PL EN
Main page / Publications / Highly-doped p-type few-layer graphene on UID off-axis homoepitaxial 4H–SiC
Submit a comment

Article

Download BibTeX

Title

Highly-doped p-type few-layer graphene on UID off-axis homoepitaxial 4H–SiC

Authors

[ 1 ] Instytut Fizyki, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ P ] employee

Scientific discipline (Law 2.0)

[2.8] Materials engineering

Year of publication

2021

Published in

Current Applied Physics

Journal year: 2021 | Journal volume: vol. 27

Article type

scientific article

Publication language

english

Pages (from - to)

17 - 24

DOI

10.1016/j.cap.2021.03.021

URL

https://doi.org/10.1016/j.cap.2021.03.021

Ministry points / journal

70

Ministry points / journal in years 2017-2021

70

Impact Factor

2,856

System created by Poznań University of Technology and Poznan Supercomputing and Networking Center
Szanowni Państwo,

w PBN 26.06.24 zaktualizowana została punktacja czasopism (zgodnie z Wykazem ogłoszonym 5.01.24).
Nadal jednak nie zaktualizowano punktacji konferencji – co więcej, nie jest znany nawet przybliżony termin wdrożenia tej części Wykazu. Widoczna w SIN punktacja jest odzwierciedleniem punktacji w PBN (wymuszają to procedury przesyłu danych o publikacjach), zatem punkty za konferencje widoczne w SIN będą mogły zostać zmienione, dopiero gdy zostaną zaktualizowane w PBN.

This website uses cookies to remember the authenticated session of the user. For more information, read about Cookies and Privacy Policy.