W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Menu

PL EN
PL EN
Strona główna / Publikacje / Bonding and electronics of the MoTe2/ Ge interface under strain
Zgłoś uwagę

Artykuł

Pobierz BibTeX

Tytuł

Bonding and electronics of the MoTe2/ Ge interface under strain

Autorzy

[ 1 ] Instytut Fizyki, Wydział Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ D ] doktorant | [ P ] pracownik

Dyscyplina naukowa (Ustawa 2.0)

[2.8] Inżynieria materiałowa

Rok publikacji

2017

Opublikowano w

Physical Review B

Rocznik: 2017 | Tom: vol. 95

Typ artykułu

artykuł naukowy

Język publikacji

angielski

Data udostępnienia online

2017

Strony (od-do)

205421-1 - 205421-6

DOI

10.1103/PhysRevB.95.205421

URL

https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.95.205421

Punktacja Ministerstwa / czasopismo

35

Punktacja Ministerstwa / czasopismo w ewaluacji 2017-2021

35

Impact Factor

3,813

System tworzony przez Politechnikę Poznańską oraz Poznańskie Centrum Superkomputerowo-Sieciowe
Szanowni Państwo,

w PBN 26.06.24 zaktualizowana została punktacja czasopism (zgodnie z Wykazem ogłoszonym 5.01.24).
Nadal jednak nie zaktualizowano punktacji konferencji – co więcej, nie jest znany nawet przybliżony termin wdrożenia tej części Wykazu. Widoczna w SIN punktacja jest odzwierciedleniem punktacji w PBN (wymuszają to procedury przesyłu danych o publikacjach), zatem punkty za konferencje widoczne w SIN będą mogły zostać zmienione, dopiero gdy zostaną zaktualizowane w PBN.

Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.