Samoorganizujące się warstwy organiczne - badania nad zastosowaniem do pasywacji antymonkowych detektorów podczerwieni
[ 1 ] Instytut Badań Materiałowych i Inżynierii Kwantowej, Wydział Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ P ] employee
EN The self-assembled octadecanethiol (ODT) monolayer on the (100) GaSb surface
2019
scientific article
polish
- supersieć II-rodzaju InAs/GaSb
- tiol
- pasywacja
- detektor podczerwieni
- II-type superlattice InAs/GaSb
- thiol
- passivation
- infrared photodetector
PL W artykule, przedstawiono wyniki mikroskopii sił atomowych (AFM), spektroskopii Ramana i analizy kąta zwilżania samoorganizującej się warstwy oktadekanotiolu (ODT) na powierzchni (100) GaSb. Warstwę ODT otrzymaną zanurzeniowo z roztworu 10 mM ODT-C2H5OH, zastosowano jako pierwszy etap dwustopniowej pasywacji, który połączony z drugim etapem polegającym na osadzaniu warstwy SiO2, poprawił znacząco parametry elektryczne detektora podczerwieni wykonanego z supersieci II-rodzaju InAs/GaSb.
EN The paper presents the results of the AFM, Raman spectroscopy and the contact angle analysis obtained for the self-assembled octadecanethiol (ODT) monolayer on the (100) GaSb surface. The ODT monolayer created from the 10 mM ODT-C 2H5 OH solution, together with additionally deposited SiO 2 layer, were successfully used as the two-step passivation of the II-type superlattice InAs/GaSb infrared photodetector.
119 - 122
publisher's website
final published version
20
70