W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Menu

PL EN
PL EN
Strona główna / Publikacje / Tri-carbon defects in carbon doped GaN
Zgłoś uwagę

Artykuł

Pobierz BibTeX

Tytuł

Tri-carbon defects in carbon doped GaN

Autorzy

[ 1 ] Instytut Fizyki, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ D ] doktorant

Rok publikacji

2018

Opublikowano w

Applied Physics Letters

Rocznik: 2018 | Tom: vol. 113 | Numer: no. 26

Typ artykułu

artykuł naukowy

Język publikacji

angielski

Data udostępnienia online

26.12.2018

DOI

10.1063/1.5064432

URL

https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5064432

Punktacja Ministerstwa / czasopismo

40

Punktacja Ministerstwa / czasopismo w ewaluacji 2017-2021

40

Impact Factor

3,521

System tworzony przez Politechnikę Poznańską oraz Poznańskie Centrum Superkomputerowo-Sieciowe
Szanowni Państwo, w formularzu zgłoszenia publikacji do SIN, by sprostać wymogom oceny wg kryterium umiędzynarodowienia, pojawiło się nowe pole: "Praca powstała w ramach współpracy międzynarodowej".



5. stycznia 2024 r. ogłoszony został Komunikat Ministra Nauki w sprawie wykazu czasopism naukowych i recenzowanych materiałów z konferencji międzynarodowych. Widoczna w SIN punktacja jest odzwierciedleniem punktacji w PBN (co wymuszone jest procedurami przesyłu danych o publikacjach) – zatem nowe, zmienione Komunikatem, punkty widoczne będą w SIN, gdy tylko zostaną zaktualizowane w PBN. Wg pozyskanych z PBN informacji, Wykaz ma zostać wdrożony w kwietniu.
Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.