EN Evaluation of accuracy of SiC-JFET macromodel

2018

Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering

Rocznik: 2018 | Numer: Issue 95

artykuł naukowy

polski

PL W pracy zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej makromodelu tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu o symbolu UJN1208K firmy United Silicon Carbide. Postać makromodelu jest dedykowana dla programu PSPICE i została udostępniona na stronie internetowej producenta. Oceniono dokładność makromodelu poprzez porównanie wybranych obliczonych i katalogowych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) rozważanego tranzystora. Przeanalizowano wpływ temperatury otoczenia na wymienione charakterystyki tranzystora.

EN In the paper, the results of experimental verification of the macromodel of UJN1208K JFET transistor made of silicon carbide fabricated by United Silicon Carbide, are presented. The macromodel form dedicated for PSPICE program is available on the manufacturer's website. The accuracy of the macromodel have been evaluated by comparison of selected calculated and measured static characteristics and C-V characteristics of the considered transistor. The influence of ambient temperature on the characteristics of the transistor has been evaluated, as well.

67 - 76

10.21008/j.1897-0737.2018.95.0007

Computer Applications in Electrical Engineering 2018, 23-24.04.2018, Poznań, Polska

Pobierz plik

publiczny

9

9