W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Rozprawa doktorska

Pobierz BibTeX

Tytuł

Wytwarzanie i charakteryzacja struktur na bazie tlenku cynku do zastosowań w elektronice

Autorzy

[ 1 ] Instytut Badań Materiałowych i Inżynierii Kwantowej, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik

Promotor

[ 1 ] Instytut Badań Materiałowych i Inżynierii Kwantowej, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik

Recenzenci

Wariant tytułu

EN Production and Characterization of Structures Based on Zinc Oxide for Applications in Electronics

Język

polski

Słowa kluczowe
PL
  • tlenek cynku
  • raman
  • sol-gel
  • spektroskopia
  • xrd
EN
  • zinc oxide
  • raman
  • sol-gel
  • spectroscopy
  • xrd
Streszczenie

PL Tlenek cynku (ZnO) od ponad dekady doświadcza renesansu badawczego. ZnO wyróżnia się relatywnie szeroką, prostą przerwą energetyczną (3,3 eV przy 300K), wysoką energią wiązania ekscytonu (około 60 meV) i wysoką koncentracją elektronów. W związku z tym, przewiduje się, że ZnO będzie materiałem, który może zastąpić azotan galu w produkcji urządzeń optoelektronicznych emitujących światło UV, znajdzie zastosowanie w produkcji transparentnych elementów elektronicznych oraz w spintronice. Właściwości strukturalne oraz związane z nimi właściwości optyczne i elektryczne polikrystalicznego tlenku cynku wytwarzanego metodą zol-żel mogą znacząco odbiegać od oczekiwanych. Dlatego głównym celem rozprawy było nie tylko opracowanie metody wytworzenia takich warstw, ale także analiza ich właściwości strukturalnych i optycznych w porównaniu z kryształem objętościowym. W pracy skoncentrowano się również na wpływie warunków produkcji i domieszek na właściwości fizyczne materiału.

EN Zinc oxide (ZnO) has been experiencing a research renaissance for over a decade. ZnO is characterized by a relatively wide, direct band gap (3.3 eV at 300K), high exciton binding energy (about 60 meV), and a high electron concentration. Therefore, it is anticipated that ZnO will be a material that could replace gallium nitride in the production of optoelectronic devices emitting UV light, be used in the production of transparent electronic components, and in spintronics. The structural properties and associated optical and electrical properties of polycrystalline zinc oxide produced using the sol-gel method can significantly differ from what is expected. Thus, the main aim of the thesis was not only to develop a method for producing such layers but also to analyze their structural and optical properties compared to bulk crystal. The work also focused on the impact of production conditions and doping on the physical properties of the material.

Liczba stron

193

Dyscyplina naukowa (Ustawa 2.0)

inżynieria materiałowa

Sygnatura rozprawy w wersji drukowanej

DrOIN 2332

Katalog on-line

to2024500736

Pełny tekst rozprawy doktorskiej

Pobierz plik

Poziom dostępu do pełnego tekstu

publiczny

Pierwsza recenzja

Piotr Kuświk

Miejsce

Poznań, Polska

Data

15.09.2023

Język

polski

Tekst recenzji

Pobierz plik

Poziom dostępu do recenzji

publiczny

Druga recenzja

Regina Paszkiewicz

Miejsce

Wrocław, Polska

Data

07.09.2023

Język

polski

Tekst recenzji

Pobierz plik

Poziom dostępu do recenzji

publiczny

Status rozprawy

rozprawa doktorska

Miejsce obrony

Poznań, Polska

Data obrony

17.11.2023

Jednostka nadająca tytuł

Rada Dyscypliny Inżynieria Materiałowa Politechniki Poznańskiej

Uzyskany tytuł

doktor nauk inżynieryjno-technicznych w dyscyplinie: inżynieria materiałowa

Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.