Depending on the amount of data to process, file generation may take longer.

If it takes too long to generate, you can limit the data by, for example, reducing the range of years.

Dissertation

Download BibTeX

Title

Wytwarzanie i charakteryzacja struktur na bazie tlenku cynku do zastosowań w elektronice

Authors

[ 1 ] Instytut Badań Materiałowych i Inżynierii Kwantowej, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ P ] employee

Promoter

[ 1 ] Instytut Badań Materiałowych i Inżynierii Kwantowej, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ P ] employee

Reviewers

Title variant

EN Production and Characterization of Structures Based on Zinc Oxide for Applications in Electronics

Language

polish

Keywords
PL
  • tlenek cynku
  • raman
  • sol-gel
  • spektroskopia
  • xrd
EN
  • zinc oxide
  • raman
  • sol-gel
  • spectroscopy
  • xrd
Abstract

PL Tlenek cynku (ZnO) od ponad dekady doświadcza renesansu badawczego. ZnO wyróżnia się relatywnie szeroką, prostą przerwą energetyczną (3,3 eV przy 300K), wysoką energią wiązania ekscytonu (około 60 meV) i wysoką koncentracją elektronów. W związku z tym, przewiduje się, że ZnO będzie materiałem, który może zastąpić azotan galu w produkcji urządzeń optoelektronicznych emitujących światło UV, znajdzie zastosowanie w produkcji transparentnych elementów elektronicznych oraz w spintronice. Właściwości strukturalne oraz związane z nimi właściwości optyczne i elektryczne polikrystalicznego tlenku cynku wytwarzanego metodą zol-żel mogą znacząco odbiegać od oczekiwanych. Dlatego głównym celem rozprawy było nie tylko opracowanie metody wytworzenia takich warstw, ale także analiza ich właściwości strukturalnych i optycznych w porównaniu z kryształem objętościowym. W pracy skoncentrowano się również na wpływie warunków produkcji i domieszek na właściwości fizyczne materiału.

EN Zinc oxide (ZnO) has been experiencing a research renaissance for over a decade. ZnO is characterized by a relatively wide, direct band gap (3.3 eV at 300K), high exciton binding energy (about 60 meV), and a high electron concentration. Therefore, it is anticipated that ZnO will be a material that could replace gallium nitride in the production of optoelectronic devices emitting UV light, be used in the production of transparent electronic components, and in spintronics. The structural properties and associated optical and electrical properties of polycrystalline zinc oxide produced using the sol-gel method can significantly differ from what is expected. Thus, the main aim of the thesis was not only to develop a method for producing such layers but also to analyze their structural and optical properties compared to bulk crystal. The work also focused on the impact of production conditions and doping on the physical properties of the material.

Number of pages

193

Scientific discipline (Law 2.0)

materials engineering

Signature of printed version

DrOIN 2332

On-line catalog

to2024500736

Full text of dissertation

Download file

Access level to full text

public

First review

Piotr Kuświk

Place

Poznań, Polska

Date

15.09.2023

Language

polish

Review text

Download file

Access level to review text

public

Second review

Regina Paszkiewicz

Place

Wrocław, Polska

Date

07.09.2023

Language

polish

Review text

Download file

Access level to review text

public

Dissertation status

dissertation

Place of defense

Poznań, Polska

Date of defense

17.11.2023

Unit granting title

Rada Dyscypliny Inżynieria Materiałowa Politechniki Poznańskiej

Obtained title

doktor nauk inżynieryjno-technicznych w dyscyplinie: inżynieria materiałowa

This website uses cookies to remember the authenticated session of the user. For more information, read about Cookies and Privacy Policy.