The Hydrogenation Impact on Electronic Properties of p-Diamond/n-Si Heterojunctions

Szymon Łoś; Kazimierz Fabisiak; Kazimierz Paprocki; Mirosław Szybowicz; Anna Dychalska; Ewa Spychaj-Fabisiak; Wojciech Franków

doi:10.3390/ma14216615

System Informacji Naukowej Politechniki Poznańskiej

PL EN

Strona główna / Publikacje / The Hydrogenation Impact on Electronic Properties of p-Diamond/n-Si Heterojunctions

Zgłoś uwagę

Artykuł

Pobierz BibTeX

Tytuł

The Hydrogenation Impact on Electronic Properties of p-Diamond/n-Si Heterojunctions

Autorzy

Szymon Łoś
Kazimierz Fabisiak
Kazimierz Paprocki
Mirosław Szybowicz (WIMiFT) ^{[ 1 ][ 2.8 ][ P ]}
Anna Dychalska (WIMiFT) ^{[ 1 ][ 2.8 ][ P ]}
Ewa Spychaj-Fabisiak
Wojciech Franków

^{[ 1 ]} Instytut Badań Materiałowych i Inżynierii Kwantowej, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | ^{[ P ]} pracownik

Dyscyplina naukowa (Ustawa 2.0)

[2.8] Inżynieria materiałowa

Rok publikacji

2021

Opublikowano w

Materials

Rocznik: 2021 | Tom: vol. 14 | Numer: no. 21

Typ artykułu

artykuł naukowy

Język publikacji

angielski

Słowa kluczowe

EN

CVD diamond
Raman spectroscopy
p-diamond/n-Si heterojunction
SEM
J-V/T characteristic
hydrogenation

Strony (od-do)

6615-1 - 6615-11

DOI

10.3390/ma14216615

URL

https://www.mdpi.com/1996-1944/14/21/6615

Tryb otwartego dostępu

otwarte czasopismo

Wersja tekstu w otwartym dostępie

ostateczna wersja opublikowana

Czas udostępnienia publikacji w sposób otwarty

w momencie opublikowania

Punktacja Ministerstwa / czasopismo

140

Punktacja Ministerstwa / czasopismo w ewaluacji 2017-2021

140

Impact Factor

3,748

System tworzony przez Politechnikę Poznańską oraz Poznańskie Centrum Superkomputerowo-Sieciowe

Zaloguj się przez eKonto, aby dodać do SIN