W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Menu

PL EN
PL EN
Strona główna / Publikacje / Mechanism of initial structure formation on highly doped n-Si(111)
Zgłoś uwagę

Artykuł

Pobierz BibTeX

Tytuł

Mechanism of initial structure formation on highly doped n-Si(111)

Autorzy

[ 1 ] Instytut Inżynierii Materiałowej, Wydział Budowy Maszyn i Zarządzania, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik

Rok publikacji

2002

Opublikowano w

Journal of Electroanalytical Chemistry

Rocznik: 2002 | Tom: vol. 527 | Numer: iss. 1-2

Typ artykułu

artykuł naukowy

Język publikacji

angielski

Strony (od-do)

41 - 46

DOI

https://doi.org/10.1016/S0022-0728(02)00707-6

URL

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022072802007076

System tworzony przez Politechnikę Poznańską oraz Poznańskie Centrum Superkomputerowo-Sieciowe
Szanowni Państwo,

w PBN 26.06.24 zaktualizowana została punktacja czasopism (zgodnie z Wykazem ogłoszonym 5.01.24).
Nadal jednak nie zaktualizowano punktacji konferencji – co więcej, nie jest znany nawet przybliżony termin wdrożenia tej części Wykazu. Widoczna w SIN punktacja jest odzwierciedleniem punktacji w PBN (wymuszają to procedury przesyłu danych o publikacjach), zatem punkty za konferencje widoczne w SIN będą mogły zostać zmienione, dopiero gdy zostaną zaktualizowane w PBN.

Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.