W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Menu

PL EN
PL EN
Strona główna / Publikacje / High-temperature Thermal Stability of a Graphene Hall Effect Sensor on Defect-engineered 4H-SiC(0001)
Zgłoś uwagę

Artykuł

Pobierz BibTeX

Tytuł

High-temperature Thermal Stability of a Graphene Hall Effect Sensor on Defect-engineered 4H-SiC(0001)

Autorzy

[ 1 ] Instytut Fizyki, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik

Dyscyplina naukowa (Ustawa 2.0)

[2.8] Inżynieria materiałowa

Rok publikacji

2024

Opublikowano w

IEEE Electron Device Letters

Rocznik: 2024 | Tom: in press

Typ artykułu

artykuł naukowy

Język publikacji

angielski

Słowa kluczowe
EN
  • Graphene
  • SiC
  • Hall effect sensor
DOI

10.1109/LED.2024.3436050

Punktacja Ministerstwa / czasopismo

140

Impact Factor

4,1 [Lista 2023]

System tworzony przez Politechnikę Poznańską oraz Poznańskie Centrum Superkomputerowo-Sieciowe
Szanowni Państwo,

w PBN 26.06.24 zaktualizowana została punktacja czasopism (zgodnie z Wykazem ogłoszonym 5.01.24).
Nadal jednak nie zaktualizowano punktacji konferencji – co więcej, nie jest znany nawet przybliżony termin wdrożenia tej części Wykazu. Widoczna w SIN punktacja jest odzwierciedleniem punktacji w PBN (wymuszają to procedury przesyłu danych o publikacjach), zatem punkty za konferencje widoczne w SIN będą mogły zostać zmienione, dopiero gdy zostaną zaktualizowane w PBN.

Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.