Termowizyjne pomiary temperatury elementów półprzewodnikowych
[ 1 ] Instytut Elektroenergetyki, Wydział Inżynierii Środowiska i Energetyki, Politechnika Poznańska | [ P ] employee
[ 1 ] Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Wydział Automatyki, Robotyki i Elektrotechniki, Politechnika Poznańska | [ P ] employee
[ 1 ] Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Wydział Automatyki, Robotyki i Elektrotechniki, Politechnika Poznańska | [ P ] employee
EN The thermographic measurements of the temperature of the semiconductors elements
polish
- półprzewodnik
- termowizja
- elektronika
- MES
- Tranzystor GaN
- semiconductor
- thermography
- electronics
- FEM
- GaN transistor
PL Tematem pracy jest wykonanie pośredniego termograficznego pomiaru temperatury elementu półprzewodnikowego umieszczonego wewnątrz obudowy urządzenia półprzewodnikowego. W trakcie prac stworzono stanowisko umożliwiające dokonywanie dokładnych termograficznych pomiarów temperatury na obudowach urządzeń półprzewodnikowych. Określono optymalny punkt na obudowie elementu półprzewodnikowego, w którym należy przeprowadzić pomiar termowizyjny, aby zminimalizować błąd pomiaru. Przygotowano trójwymiarowe modele elementów półprzewodnikowych i radiatorów, przeprowadzono symulacje i wyznaczono rozkład temperatury w ich wnętrzu. w celu weryfikacji uzyskanych wyników porównano wyniki tych symulacji oraz wynik pośredniego termowizyjnego pomiaru temperatury elementu półprzewodnikowego z wynikami pomiarów elektrycznych temperatury elementu półprzewodnikowego. Wyznaczono również błąd pośredniego termowizyjnego pomiaru temperatury elementu półprzewodnikowego.
EN The subject of the thesis is to perform an indirect thermographic temperature measurement of a semiconductor element placed inside the casing of a semiconductor device. During the work, a setup was created, which enable make a accurate thermographic temperature measurements on the casing of semiconductor devices. The authors determined the optimal point on the casing of semiconductor element, where thermographic measurement should be conducted in order to minimize measurement error of this measurement. Three-dimensional models of the semiconductor devices and heat sinks was prepared, performed simulations, and compared the results of this simulations and indirect thermographic temperature of die with results of electrical measurements to verify the obtained results. Measurement error of indirect thermographic measurement of die was obtained too.
118
automation, electronics, electrical engineering and space technology
public
Mariusz Kaczmarek
Gdańsk, Polska
11.03.2024
polish
public
Waldemar Minkina
Częstochowa, Polska
06.02.2024
polish
public
dissertation before defense
Poznań, Polska
23.05.2024