W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Rozprawa doktorska

Pobierz BibTeX

Tytuł

Termowizyjne pomiary temperatury elementów półprzewodnikowych

Autorzy

[ 1 ] Instytut Elektroenergetyki, Wydział Inżynierii Środowiska i Energetyki, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik

Promotor

[ 1 ] Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Wydział Automatyki, Robotyki i Elektrotechniki, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik

Promotor pomocniczy

[ 1 ] Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Wydział Automatyki, Robotyki i Elektrotechniki, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik

Recenzenci

Wariant tytułu

EN The thermographic measurements of the temperature of the semiconductors elements

Język

polski

Słowa kluczowe
PL
  • półprzewodnik
  • termowizja
  • elektronika
  • MES
  • Tranzystor GaN
EN
  • semiconductor
  • thermography
  • electronics
  • FEM
  • GaN transistor
Streszczenie

PL Tematem pracy jest wykonanie pośredniego termograficznego pomiaru temperatury elementu półprzewodnikowego umieszczonego wewnątrz obudowy urządzenia półprzewodnikowego. W trakcie prac stworzono stanowisko umożliwiające dokonywanie dokładnych termograficznych pomiarów temperatury na obudowach urządzeń półprzewodnikowych. Określono optymalny punkt na obudowie elementu półprzewodnikowego, w którym należy przeprowadzić pomiar termowizyjny, aby zminimalizować błąd pomiaru. Przygotowano trójwymiarowe modele elementów półprzewodnikowych i radiatorów, przeprowadzono symulacje i wyznaczono rozkład temperatury w ich wnętrzu. w celu weryfikacji uzyskanych wyników porównano wyniki tych symulacji oraz wynik pośredniego termowizyjnego pomiaru temperatury elementu półprzewodnikowego z wynikami pomiarów elektrycznych temperatury elementu półprzewodnikowego. Wyznaczono również błąd pośredniego termowizyjnego pomiaru temperatury elementu półprzewodnikowego.

EN The subject of the thesis is to perform an indirect thermographic temperature measurement of a semiconductor element placed inside the casing of a semiconductor device. During the work, a setup was created, which enable make a accurate thermographic temperature measurements on the casing of semiconductor devices. The authors determined the optimal point on the casing of semiconductor element, where thermographic measurement should be conducted in order to minimize measurement error of this measurement. Three-dimensional models of the semiconductor devices and heat sinks was prepared, performed simulations, and compared the results of this simulations and indirect thermographic temperature of die with results of electrical measurements to verify the obtained results. Measurement error of indirect thermographic measurement of die was obtained too.

Liczba stron

118

Dyscyplina naukowa (Ustawa 2.0)

automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

Sygnatura rozprawy w wersji drukowanej

DrOIN 2369

Katalog on-line

to2024998936

Pełny tekst rozprawy doktorskiej

Pobierz plik

Poziom dostępu do pełnego tekstu

publiczny

Pierwsza recenzja

Mariusz Kaczmarek

Miejsce

Gdańsk, Polska

Data

11.03.2024

Język

polski

Tekst recenzji

Pobierz plik

Poziom dostępu do recenzji

publiczny

Druga recenzja

Waldemar Minkina

Miejsce

Częstochowa, Polska

Data

06.02.2024

Język

polski

Tekst recenzji

Pobierz plik

Poziom dostępu do recenzji

publiczny

Status rozprawy

rozprawa doktorska

Miejsce obrony

Poznań, Polska

Data obrony

23.05.2024

Jednostka nadająca tytuł

Rada Dyscypliny Automatyka, Elektronika, Elektrotechnika i Technologie Kosmiczne Politechniki Poznańskiej

Uzyskany tytuł

doktor nauk inżynieryjno-technicznych w dyscyplinie: automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.