Depending on the amount of data to process, file generation may take longer.

If it takes too long to generate, you can limit the data by, for example, reducing the range of years.

Dissertation

Download BibTeX

Title

Termowizyjne pomiary temperatury elementów półprzewodnikowych

Authors

[ 1 ] Instytut Elektroenergetyki, Wydział Inżynierii Środowiska i Energetyki, Politechnika Poznańska | [ P ] employee

Promoter

[ 1 ] Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Wydział Automatyki, Robotyki i Elektrotechniki, Politechnika Poznańska | [ P ] employee

Supporting promoter

[ 1 ] Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Wydział Automatyki, Robotyki i Elektrotechniki, Politechnika Poznańska | [ P ] employee

Reviewers

Title variant

EN The thermographic measurements of the temperature of the semiconductors elements

Language

polish

Keywords
PL
  • półprzewodnik
  • termowizja
  • elektronika
  • MES
  • Tranzystor GaN
EN
  • semiconductor
  • thermography
  • electronics
  • FEM
  • GaN transistor
Abstract

PL Tematem pracy jest wykonanie pośredniego termograficznego pomiaru temperatury elementu półprzewodnikowego umieszczonego wewnątrz obudowy urządzenia półprzewodnikowego. W trakcie prac stworzono stanowisko umożliwiające dokonywanie dokładnych termograficznych pomiarów temperatury na obudowach urządzeń półprzewodnikowych. Określono optymalny punkt na obudowie elementu półprzewodnikowego, w którym należy przeprowadzić pomiar termowizyjny, aby zminimalizować błąd pomiaru. Przygotowano trójwymiarowe modele elementów półprzewodnikowych i radiatorów, przeprowadzono symulacje i wyznaczono rozkład temperatury w ich wnętrzu. w celu weryfikacji uzyskanych wyników porównano wyniki tych symulacji oraz wynik pośredniego termowizyjnego pomiaru temperatury elementu półprzewodnikowego z wynikami pomiarów elektrycznych temperatury elementu półprzewodnikowego. Wyznaczono również błąd pośredniego termowizyjnego pomiaru temperatury elementu półprzewodnikowego.

EN The subject of the thesis is to perform an indirect thermographic temperature measurement of a semiconductor element placed inside the casing of a semiconductor device. During the work, a setup was created, which enable make a accurate thermographic temperature measurements on the casing of semiconductor devices. The authors determined the optimal point on the casing of semiconductor element, where thermographic measurement should be conducted in order to minimize measurement error of this measurement. Three-dimensional models of the semiconductor devices and heat sinks was prepared, performed simulations, and compared the results of this simulations and indirect thermographic temperature of die with results of electrical measurements to verify the obtained results. Measurement error of indirect thermographic measurement of die was obtained too.

Number of pages

118

Scientific discipline (Law 2.0)

automation, electronics, electrical engineering and space technologies

Signature of printed version

DrOIN 2369

On-line catalog

to2024998936

Full text of dissertation

Download file

Access level to full text

public

First review

Mariusz Kaczmarek

Place

Gdańsk, Polska

Date

11.03.2024

Language

polish

Review text

Download file

Access level to review text

public

Second review

Waldemar Minkina

Place

Częstochowa, Polska

Date

06.02.2024

Language

polish

Review text

Download file

Access level to review text

public

Dissertation status

dissertation

Place of defense

Poznań, Polska

Date of defense

23.05.2024

Unit granting title

Rada Dyscypliny Automatyka, Elektronika, Elektrotechnika i Technologie Kosmiczne Politechniki Poznańskiej

Obtained title

doktor nauk inżynieryjno-technicznych w dyscyplinie: automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

This website uses cookies to remember the authenticated session of the user. For more information, read about Cookies and Privacy Policy.