W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Artykuł

Pobierz plik Pobierz BibTeX

Tytuł

Indirect Thermographic Temperature Measurement of a Power Rectifying Diode Die under Forced Convection Conditions

Autorzy

[ 1 ] Instytut Elektroenergetyki, Wydział Inżynierii Środowiska i Energetyki, Politechnika Poznańska | [ 2 ] Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Wydział Automatyki, Robotyki i Elektrotechniki, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik

Dyscyplina naukowa (Ustawa 2.0)

[2.2] Automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne
[2.10] Inżynieria środowiska, górnictwo i energetyka

Rok publikacji

2023

Opublikowano w

Applied Sciences

Rocznik: 2023 | Tom: vol. 13 | Numer: iss. 7

Typ artykułu

artykuł naukowy

Język publikacji

angielski

Słowa kluczowe
EN
  • diode
  • energy converter
  • FEM
  • heat sink
  • rectifier diode
  • rectifier bridge
  • thermal conductivity
  • temperature distribution thermography
Streszczenie

EN The supply of energy with the correct parameters to electrical appliances is possible with the use of energy converters. When a direct current is required, rectifier bridges are needed. These can be made using rectifier diodes. The problem of excessive junction temperatures in power diodes, which are used to build rectifier bridges and power converters, was recognized. For this reason, research work was carried out to create a model of a rectifier diode placed on a heat sink and to analyze the heat dissipation from the junction of this diode under forced convection conditions. The results obtained from the simulation work were compared with the results of thermographic temperature measurements. The boundary conditions chosen for the simulation work are presented. A method is also presented that determined the convection coefficient under forced convection conditions. The difference between the simulation results and the results of the thermographic measurements was found to be 0.1 °C, depending on the power dissipated at the junction and the air velocity around the diode.

Strony (od-do)

4440-1 - 4440-17

DOI

10.3390/app13074440

URL

https://www.mdpi.com/2076-3417/13/7/4440

Uwagi

article number: 4440

Typ licencji

CC BY (uznanie autorstwa)

Tryb otwartego dostępu

otwarte czasopismo

Wersja tekstu w otwartym dostępie

ostateczna wersja opublikowana

Czas udostępnienia publikacji w sposób otwarty

w momencie opublikowania

Pełny tekst artykułu

Pobierz plik

Poziom dostępu do pełnego tekstu

publiczny

Punktacja Ministerstwa / czasopismo

100

Impact Factor

2,5

Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.