W zależności od ilości danych do przetworzenia generowanie pliku może się wydłużyć.

Jeśli generowanie trwa zbyt długo można ograniczyć dane np. zmniejszając zakres lat.

Artykuł

Pobierz plik Pobierz BibTeX

Tytuł

Indirect Thermographic Temperature Measurement of a Power-Rectifying Diode Die Based on a Heat Sink Thermogram

Autorzy

[ 1 ] Instytut Elektroenergetyki, Wydział Inżynierii Środowiska i Energetyki, Politechnika Poznańska | [ 2 ] Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Wydział Automatyki, Robotyki i Elektrotechniki, Politechnika Poznańska | [ P ] pracownik

Dyscyplina naukowa (Ustawa 2.0)

[2.2] Automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne
[2.10] Inżynieria środowiska, górnictwo i energetyka

Rok publikacji

2023

Opublikowano w

Energies

Rocznik: 2023 | Tom: vol. 16 | Numer: iss. 1

Typ artykułu

artykuł naukowy

Język publikacji

angielski

Słowa kluczowe
EN
  • thermography
  • indirect thermographic measurement
  • rectifying diode
  • thermal modeling
  • emissivity coefficient
  • convection coefficient
  • SolidWorks
  • diode die
  • heat sink
Streszczenie

EN This article concerns the indirect thermographic measurement of the junction temperature of a D00-250-10 semiconductor diode. Herein, we show how the temperature of the semiconductor junction was estimated on the basis of the heat sink temperature. We discuss the methodology of selecting the points for thermographic measurement of the heat sink temperature and the diode case. The method of thermographic measurement of the heat sink temperature and the used measurement system are described. The simulation method used to obtain the temperature of the semiconductor diode junction on the basis of the thermographic measurement of the heat sink temperature, as well as the method of determining the emissivity and convection coefficients, is presented. In order to facilitate the understanding of the discussed issues, the construction of the diode and heat sink used, the heat flow equation and the finite element method are described. As a result of the work carried out, the point where the diode casing temperature is closest to the junction temperature was indicated, as well as which fragments of the heat sink should be observed in order to correctly estimate the temperature of the semiconductor junction. The indirect measurement of the semiconductor junction temperature was carried out for different values of the power dissipated in the junction.

Strony (od-do)

332-1 - 332-25

DOI

10.3390/en16010332

URL

https://www.mdpi.com/1996-1073/16/1/332

Uwagi

article number: 332

Typ licencji

CC BY (uznanie autorstwa)

Tryb otwartego dostępu

otwarte czasopismo

Wersja tekstu w otwartym dostępie

ostateczna wersja opublikowana

Czas udostępnienia publikacji w sposób otwarty

w momencie opublikowania

Pełny tekst artykułu

Pobierz plik

Poziom dostępu do pełnego tekstu

publiczny

Punktacja Ministerstwa / czasopismo

140

Impact Factor

3,2 [Lista 2022]

Ta strona używa plików Cookies, w celu zapamiętania uwierzytelnionej sesji użytkownika. Aby dowiedzieć się więcej przeczytaj o plikach Cookies i Polityce Prywatności.