Processing of PtSe2 ultra-thin layers using Ar plasma

Wojciech Koczorowski; Jan Raczyński; Semir El-Ahmar; Ewelina Nowak; Marek Nowicki; Mirosław Szybowicz; Ryszard Czajka

doi:10.1016/j.mssp.2023.107814

System Informacji Naukowej Politechniki Poznańskiej

PL EN

Strona główna / Publikacje / Processing of PtSe2 ultra-thin layers using Ar plasma

Zgłoś uwagę

Artykuł

Pobierz BibTeX

Tytuł

Processing of PtSe2 ultra-thin layers using Ar plasma

Autorzy

Wojciech Koczorowski (WIMiFT) ^{[ 1 ][ 2.8 ][ P ]}
Jan Raczyński (WIMiFT) ^{[ 2 ][ 2.8 ][ SzD ]}
Semir El-Ahmar (WIMiFT) ^{[ 1 ][ 2.8 ][ P ]}
Ewelina Nowak (WIMiFT) ^{[ 3 ][ 2.8 ][ P ]}
Marek Nowicki (WIMiFT) ^{[ 1 ][ 2.8 ][ P ]}
Mirosław Szybowicz (WIMiFT) ^{[ 3 ][ 2.8 ][ P ]}
Ryszard Czajka (WIMiFT) ^{[ 1 ][ 2.8 ][ P ]}

^{[ 1 ]} Instytut Fizyki, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | ^{[ 2 ]} Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | ^{[ 3 ]} Instytut Badań Materiałowych i Inżynierii Kwantowej, Wydział Inżynierii Materiałowej i Fizyki Technicznej, Politechnika Poznańska | ^{[ P ]} pracownik | ^{[ SzD ]} doktorant ze Szkoły Doktorskiej

Dyscyplina naukowa (Ustawa 2.0)

[2.8] Inżynieria materiałowa

Rok publikacji

2023

Opublikowano w

Materials Science in Semiconductor Processing

Rocznik: 2023 | Tom: vol. 167

Typ artykułu

artykuł naukowy

Język publikacji

angielski

Słowa kluczowe

EN

PtSe2
Plasma processing
Optical lithography
Raman spectroscopy

Streszczenie

EN This paper contains a detailed analysis of the Ar plasma treatment dynamics of the PtSe2/Al2O3 system comprising ultrathin PtSe2 layers with a thickness of 1–3 monomolecular layers. The impact of the etching process on the physical properties of the ultrathin PtSe2 layers was analysed using Raman spectroscopy and atomic force microscopy techniques in time intervals up to the complete decomposition of the PtSe2 layers. The processing duration that allowed the complete removal of the PtSe2 layer was determined for the investigated systems. The results, in combination with the optimised photolithography, were used for the active PtSe2 channel formation in the 3 ML PtSe2-based transfer line measurement structure using electrodes consisting of Ni and Au layers (with thicknesses of 20 and 40 nm, respectively). The electrical properties of the fabricated system confirm the effectiveness of commercially available PtSe2/Al2O3 samples in the fabrication of simple electronic devices utilising planar architecture, i.e. micro- and nanosensors.

Data udostępnienia online

28.08.2023

Strony (od-do)

107814-1 - 107814-7

DOI

10.1016/j.mssp.2023.107814

URL

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800123005073?via%3Dihub

Typ licencji

CC BY-NC-ND (uznanie autorstwa - użycie niekomercyjne - bez utworów zależnych)

Tryb otwartego dostępu

czasopismo hybrydowe